中国科学院院士、物理学家、中国科学院理化技术研究所研究员洪朝生先生因病于2018年8月19日10时10分在北京逝世，享年98岁。
洪朝生先生1920年10月10日出生于北京，籍贯福建闽侯。1940 年毕业于清华大学（西南联大）电机工程系，1941年任西南联大电机工程系助教。1944年先后考取清华大学庚款第六届留美公费生和第八届留英公费生，1945年赴美国留学，1948 年获麻省理工学院博士学位，后在美国普渡大学工作。1950年6月在荷兰莱顿大学卡末林昂纳斯实验室工作。1951 年回国，任中国科学院应用物理所（物理所）副研究员、研究员，兼清华大学、北京大学、中国科学技术大学物理系教授。1978 年任中国科学院物理研究所副所长，1982 年任中国科学院低温技术实验中心主任。1999年担任中国科学院理化技术研究所科技委员会名誉主任。1980 年当选为中国科学院学部委员（院士）。
洪朝生先生于 1950 年在半导体锗单晶输运现象的实验中发现杂质能级上的导电现象，提出了半导体禁带中杂质导电的概念，这一工作后被半导体物理界称之为“洪朝生效应”，成为无序系统电子输运现象实验研究的开端，引发了国际上对无序电子输运机制的探索。1953 年，他在中国科学院物理研究所组建了国内第一个低温实验室，主持研制低温研究设备，先后在国内首次实现了氢的液化和氦的液化，并使该技术在国内得以推广，为我国科学研究，特别是“两弹一星”的成功研制做出了重要贡献。上世纪60年代初期，他参与创办了我国第一个高等院校低温物理专业——中国科技大学低温物理专业，为我国低温物理、低温技术和超导研究培育了大批优秀科技人才。70年代，他领导低温科研队伍，完成了大型空间环境模拟系统KM3 和KM4 低温氦制冷系统的研制任务，提供卫星上天的空间环境模拟试验条件，为我国航天事业的发展做出了重要贡献。80年代，他领导组建中国科学院低温技术实验中心，主持完成了中科院“六五”低温超导攻关项目和液氦支撑的基本技术规范化课题；完成了中国科学院中法合作项目“中子散射”冷中子源的低温系统；建立起高水平的低温温度计量实验室。
洪朝生先生是第三届全国人大代表，第五、六、七、八届全国政协委员，曾任中国物理学会副理事长，中国制冷学会副理事长，国际低温工程委员会副主席。1978 年获全国科技大会表彰的全国科技工作者，1985年获国家科技进步一等奖，1989 年获中国物理学会胡刚复物理奖，2000 年获国际低温工程理事会门德尔松奖，2011年获美国低温工程和低温材料大会塞缪尔·科林斯奖。
洪朝生先生一生热爱祖国、崇尚科学、严谨求实、无私敬业，将全部心血奉献给了我国物理事业，为我国科教事业发展做出了重大贡献，风范长存！