黄昆

固体物理、半导体物理学家 1919年9月2日生于北京,籍贯浙江嘉兴。1941年毕业于燕京大学。1948年获英国布里斯托尔大学博士学位。1955年被选聘为中国科学院学部委员(院士)。1980年当选为瑞典皇家科学院外籍院士。1985年当选为第三世界科学院院士。2005年7月6日逝世。 曾任北京大学教授,中国科学院半导体研究所研究员、所长、名誉所长,中国物理学会理事长等。主要从事固体物理理论、半导体物理学等方面的研究,是中国半导体物理学研究的开创者之一。提出了稀固溶体的X-光漫散射理论和晶体光学振动的唯象方程,并预见了晶体光学声子和电磁场的耦合振动模式,被称为“黄散射”和“黄方程”,提出并发展了由晶格弛豫引起多声子跃迁理论(包括光跃迁和无辐射跃迁),被称为“黄一佩卡尔理论”提出了有效解决半导体超晶格光学振动模型,并阐明其光学振动模式的要点,被称为“黄一朱模型”。与玻恩合著的《晶格动力学理论》成为该学科领域的第一部权威专著和标准参考文献。 曾获1995年何梁何利基金科学与技术成就奖、陈嘉庚数理科学奖、2001年度国家最高科学技术奖。